Ионный кнудсеноский слой около слабо отрицательного адсорбирующего электрода и условие Бома

Исследуется структура приэлектродной области для случая, когда дебаевская длина много меньше эффективной длины свободного пробега. Поведение электронов и ионов около отрицательного электрода описывается релаксационными кинетическими уравнениями. Моментное решение для кнудсеновской области позволяет определить зависимость скорости входа ионов в область экранирующего слоя от плотности тока на электрод. Обобщается критерий Бома на случай произвольных отрицательных потенциалов электрода. Показано, что в случае самосогласованного решения задачи критерий Бома удовлетворяется автоматически.