Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Журнал технической физики, 1984, том 54, выпуск 2, страницы 299–305 (Mi jtf1656)  

Квантовая электроника

К теории лазеров на свободных электронах с фокусирующим полем накачки

Н. С. Гинзбург

Институт прикладной физики АН СССР, Горький
Аннотация: В ЛСЭ, основанных на вынужденном рассеянии волн и вынужденном ондуляторном излучении, нарастающее от оси к периферии поле накачки образует усредненный потенциальный рельеф, фокусирующий электронный пучок в поперечной плоскости. В зависимости от фазовой скорости комбинационной волны процесс рассеяния будет сопровождаться либо затуханием, либо раскачкой дрейфовых осцилляций электронов в потенциальном рельефе. Прослежена аналогия между ЛСЭ с фокусирующим полем накачки и релятивистскими МЦР, работающими в области нормального и аномального эффекта Допплера.
Поступила в редакцию: 29.04.1983
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.378.325
Образец цитирования: Н. С. Гинзбург, “К теории лазеров на свободных электронах с фокусирующим полем накачки”, ЖТФ, 54:2 (1984), 299–305
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Gin84}
\by Н.~С.~Гинзбург
\paper К теории лазеров на свободных электронах с~фокусирующим полем
накачки
\jour ЖТФ
\yr 1984
\vol 54
\issue 2
\pages 299--305
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf1656}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf1656
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v54/i2/p299
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Журнал технической физики Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:45
    PDF полного текста:24
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024