Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 1986, том 56, выпуск 4, страницы 805–807 (Mi jtf165)  
Краткие сообщения

Особенности фотопреобразователей на основе трехслойных полупроводниковых гетероструктур

С. Ю. Павелец, Т. М. Сванидзе, В. П. Тарасенко

Институт полупроводников АН УССР, Киев
PDF полного текста (370 kB)
Поступила в редакцию: 05.06.1985
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 535.376.2
Образец цитирования: С. Ю. Павелец, Т. М. Сванидзе, В. П. Тарасенко, “Особенности фотопреобразователей на основе трехслойных полупроводниковых гетероструктур”, ЖТФ, 56:4 (1986), 805–807
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PavSvaTar86}
\by С.~Ю.~Павелец, Т.~М.~Сванидзе, В.~П.~Тарасенко
\paper Особенности фотопреобразователей на основе трехслойных
полупроводниковых гетероструктур
\jour ЖТФ
\yr 1986
\vol 56
\issue 4
\pages 805--807
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf165}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf165
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v56/i4/p805
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024