Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 1985, том 55, выпуск 11, страницы 2265–2266 (Mi jtf1556)  
Краткие сообщения

Определение локальных температур в светоизлучающих структурах на основе GaAlAs

С. В. Свечников, Г. А. Сукач, Е. И. Сыпко, В. В. Николаенко

Институт полупроводников АН УССР, Киев
PDF полного текста (286 kB)
Поступила в редакцию: 07.01.1985
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 535.376.2
Образец цитирования: С. В. Свечников, Г. А. Сукач, Е. И. Сыпко, В. В. Николаенко, “Определение локальных температур в светоизлучающих структурах на основе GaAlAs”, ЖТФ, 55:11 (1985), 2265–2266
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SveSukSyp85}
\by С.~В.~Свечников, Г.~А.~Сукач, Е.~И.~Сыпко, В.~В.~Николаенко
\paper Определение локальных температур в~светоизлучающих структурах
на основе GaAlAs
\jour ЖТФ
\yr 1985
\vol 55
\issue 11
\pages 2265--2266
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf1556}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf1556
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v55/i11/p2265
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024