Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 1985, том 55, выпуск 6, страницы 1224–1227 (Mi jtf1318)  
Краткие сообщения

Исследование биполярных транзисторов на основе двойной N${-}$p${-}$N AlGaAs$-$GaAs гетероструктуры

В. Г. Данильченко, Н. Рахимов, В. В. Руссу, О. В. Сумма

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград
PDF полного текста (581 kB)
Поступила в редакцию: 07.08.1984
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Г. Данильченко, Н. Рахимов, В. В. Руссу, О. В. Сумма, “Исследование биполярных транзисторов на основе двойной N${-}$p${-}$N AlGaAs$-$GaAs гетероструктуры”, ЖТФ, 55:6 (1985), 1224–1227
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{DanRakRus85}
\by В.~Г.~Данильченко, Н.~Рахимов, В.~В.~Руссу, О.~В.~Сумма
\paper Исследование биполярных транзисторов на основе двойной
N${-}$p${-}$N AlGaAs$-$GaAs гетероструктуры
\jour ЖТФ
\yr 1985
\vol 55
\issue 6
\pages 1224--1227
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf1318}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf1318
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v55/i6/p1224
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024