Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 1985, том 55, выпуск 4, страницы 733–734 (Mi jtf1193)  
Краткие сообщения

Зависимость высоты барьера Шоттки структур с полупроводниками на основе GaP от электроотрицательности металла

Т. А. Лаперашвили, Г. А. Накашидзе

Институт кибернетики АН ГССР, Тбилиси
PDF полного текста (261 kB)
Поступила в редакцию: 11.12.1983
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 537.311.33
Образец цитирования: Т. А. Лаперашвили, Г. А. Накашидзе, “Зависимость высоты барьера Шоттки структур с полупроводниками на основе GaP от электроотрицательности металла”, ЖТФ, 55:4 (1985), 733–734
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LapNak85}
\by Т.~А.~Лаперашвили, Г.~А.~Накашидзе
\paper Зависимость высоты барьера Шоттки структур с~полупроводниками на
основе GaP от электроотрицательности металла
\jour ЖТФ
\yr 1985
\vol 55
\issue 4
\pages 733--734
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf1193}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf1193
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v55/i4/p733
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025