Механизмы голографической записи в фоторефрактивных кристаллах со сложной структурой примесных уровней

Теоретически исследована модель фоторефрактивного кристалла с двумя частично компенсированными донорными уровнями. Показано, что в приближении больших дрейфовых длин переноса фотоэлектронов при насыщении одного из донорных уровней возможно появление двух участков на кривой записи и оптического стирания голограммы с различными характерными временами релаксации. При однородном освещении записанной голограммы также возможно наблюдение эффекта электрического проявления голограммы, заключающегося в восстановлении значительной части голограммы (первоначально стертой в отсутствие внешнего поля) во внешнем электрическом поле. Экспериментальное поведение кривых записи и оптического стирания, полученных в красном свете (${\lambda=0.63}$ мкм) в кристалле Bi$_{12}$SiO$_{20}$ (шаг решетки ${\Delta\approx15}$ мкм), подтверждает наличие двух таких участков с различными характерными временами, а также присутствие эффекта электрического проявления.