Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 1985, том 55, выпуск 2, страницы 348–353 (Mi jtf1110)  
О микромеханизмах электродиффузионных отказов тонкопленочной металлизации

В. Н. Соловьев, В. Ф. Синкевич, Г. А. Дядына

Криворожский государственный педагогический институт
PDF полного текста (815 kB)
Аннотация: Теория протекания привлечена для вычисления ионной проводимости поликристаллической пленки. Показано, что кинетику электродиффузионных отказов тонкопленочной металлизации определяет зависящая от степени структурного совершенства пленки энергия активации миграции ионов. Получено выражение для предэкспоненциального множителя коэффициента диффузии. В субмикронных пленках обнаружено возрастание энергии активации за счет изменения топологии «путей протекания» ионов. Экспериментальные данные по времени наработки удовлетворительно согласуются с развитыми представлениями.
Поступила в редакцию: 20.04.1984
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Н. Соловьев, В. Ф. Синкевич, Г. А. Дядына, “О микромеханизмах электродиффузионных отказов тонкопленочной металлизации”, ЖТФ, 55:2 (1985), 348–353
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SolSinDya85}
\by В.~Н.~Соловьев, В.~Ф.~Синкевич, Г.~А.~Дядына
\paper О микромеханизмах электродиффузионных отказов тонкопленочной
металлизации
\jour ЖТФ
\yr 1985
\vol 55
\issue 2
\pages 348--353
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf1110}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf1110
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v55/i2/p348
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:48
    PDF полного текста:21
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024