Поверхностно-барьерные структуры с промежуточным слоем на Pb$_{0.77}$Sn$_{0.23}$Te

Рассмотрено взаимодействие термически напыленных In и Рb с компонентами полупроводника Pb$_{0.77}$Sn$_{0.23}$Te. На основе изучения оже-профилей элементов в приконтактной области установлены основные закономерности такого взаимодействия. Установлена связь данных оже-спектроскопии с фотоэлектрическими свойствами фотодиодов, полученных напылением In и Рb на Pb$_{0.77}$Sn$_{0.23}$Te. Показано, что слои окисла, полученные на поверхности полупроводника химическим травлением, защищают материал полупроводника от прямого взаимодействия с напыленным металлом и существенно улучшают характеристики фотодиодов.