Temperature-dependent photoconductance and optical properties of In$_2$O$_3$ thin films prepared by autowave oxidation

Экспериментально исследовано влияние ультрафиолетового (УФ) излучения и температуры на электрические и оптические свойства пленок In$_2$O$_3$, полученных методом автоволнового окисления. При измерении в темноте сопротивление пленки менялось незначительно при температурах от 300 до 95 К и более заметно при дальнейшем уменьшении температуры. Под воздействием УФ-облучения удельное сопротивление пленок при комнатной температуре резко снизилось на $\sim$25 %, от 300 до 95 К, и продолжало снижаться до $\sim$38 % с дальнейшим понижением температуры. При отключении УФ-источника значение сопротивления релаксировало со скоростью 15 Ом/с в течение первых 30 секунд и 7 Ом/с в течение оставшегося времени. После прекращения облучения коэффициент пропускания снизился на 3,1 % при длине волны 6,3 мкм. Скорость релаксации коэффициента пропускания составила 0,006 %/с. Релаксации электрического сопротивления и коэффициента пропускания после прекращения УФ-облучения были одинаковыми. Предполагается, что доминирующим механизмом, ответственным за изменения проводимости в пленках оксида индия в процессе УФ-облучения, было фотовосстановление.