Журнал Сибирского федерального университета. Серия «Математика и физика»
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Журн. СФУ. Сер. Матем. и физ.:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал Сибирского федерального университета. Серия «Математика и физика», 2017, том 10, выпуск 2, страницы 181–185
DOI: https://doi.org/10.17516/1997-1397-2017-10-2-181-185 (Mi jsfu538) 		 
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Technological features influence on magnetic sensitivity of sensor based on ferromagnetic structures
[Влияние технологических особенностей на чувствительность сенсоров на основе ферромагнитных структур]

Nikolay A. Djuzhev, Aleksey S. Iurov, Nikita S. Mazurkin, Maksim Y. Chinenkov

National Research University of Electronic Technology (MIET), Shokina, 1, Moscow, Zelenograd, 124498, Russia
PDF полного текста (2517 kB) Список цитирования (3)
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.17516/1997-1397-2017-10-2-181-185
Аннотация: Основными актуальными задачами в разработке первичных преобразователей на основе магниторезистивных структур являются повышение чувствительности и термостабильности. Чувствительность определяется как отношение величины выходного сигнала (напряжение разбаланса мостовой схемы под действием магнитного поля) к величине магнитного поля на линейном участке передаточной характеристики. Были изготовлены магниторезистивные структуры с широким диапазоном чувствительности от 3.0 (мВ/В)/(кА/м) до 9,4 (мВ/В)/(кА/м) при значении поля смещения 1 кА/м. Установлено, что основное влияние на чувствительность сенсора оказывает ширина полос пермаллоя. Расстояние между полосами имеет существенно меньший эффект.
Ключевые слова: магниторезистивный сенсор, MEMС, магнеторезистивность, магнеторезистор.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 14.578.21.0001 (RFMEFI57814X0001)
This work was supported by Ministry of Education and Science of the Russian Federation grant no. 14.578.21.0001 (RFMEFI57814X0001). and conducted using the equipment of Multiaccess center “Microsystem technics and electronics component base” MIET.
Получена: 20.08.2016
Исправленный вариант: 10.10.2016
Принята: 04.02.2017
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 53.082.743
Язык публикации: английский
Образец цитирования: Nikolay A. Djuzhev, Aleksey S. Iurov, Nikita S. Mazurkin, Maksim Y. Chinenkov, “Technological features influence on magnetic sensitivity of sensor based on ferromagnetic structures”, Журн. СФУ. Сер. Матем. и физ., 10:2 (2017), 181–185
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{DjuYurMaz17}
\by Nikolay~A.~Djuzhev, Aleksey~S.~Iurov, Nikita~S.~Mazurkin, Maksim~Y.~Chinenkov
\paper Technological features influence on magnetic sensitivity of sensor based on ferromagnetic structures
\jour Журн. СФУ. Сер. Матем. и физ.
\yr 2017
\vol 10
\issue 2
\pages 181--185
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jsfu538}
\crossref{https://doi.org/10.17516/1997-1397-2017-10-2-181-185}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000412014600005}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jsfu538
  • https://www.mathnet.ru/rus/jsfu/v10/i2/p181
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал Сибирского федерального университета. Серия "Математика и физика"
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:3665
    PDF полного текста:35
    Список литературы:22
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024