|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Technological features influence on magnetic sensitivity of sensor based on ferromagnetic structures
[Влияние технологических особенностей на чувствительность сенсоров на основе ферромагнитных структур]
Nikolay A. Djuzhev, Aleksey S. Iurov, Nikita S. Mazurkin, Maksim Y. Chinenkov National Research University of Electronic Technology (MIET),
Shokina, 1, Moscow, Zelenograd, 124498, Russia
Аннотация:
Основными актуальными задачами в разработке первичных преобразователей на основе магниторезистивных структур являются повышение чувствительности и термостабильности. Чувствительность определяется как отношение величины выходного сигнала (напряжение разбаланса мостовой схемы под действием магнитного поля) к величине магнитного поля на линейном участке передаточной характеристики. Были изготовлены магниторезистивные структуры с широким диапазоном чувствительности от 3.0 (мВ/В)/(кА/м) до 9,4 (мВ/В)/(кА/м) при значении поля смещения 1 кА/м. Установлено, что основное влияние на чувствительность сенсора оказывает ширина полос пермаллоя. Расстояние между полосами имеет существенно меньший эффект.
Ключевые слова:
магниторезистивный сенсор, MEMС, магнеторезистивность, магнеторезистор.
Получена: 20.08.2016 Исправленный вариант: 10.10.2016 Принята: 04.02.2017
Образец цитирования:
Nikolay A. Djuzhev, Aleksey S. Iurov, Nikita S. Mazurkin, Maksim Y. Chinenkov, “Technological features influence on magnetic sensitivity of sensor based on ferromagnetic structures”, Журн. СФУ. Сер. Матем. и физ., 10:2 (2017), 181–185
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jsfu538 https://www.mathnet.ru/rus/jsfu/v10/i2/p181
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 3665 | PDF полного текста: | 35 | Список литературы: | 22 |
|