|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2007, том 85, выпуск 1, страницы 69–73
(Mi jetpl949)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ
Холловский пробой в GaAs/AlAs гетероструктуре с модулированным легированием
А. А. Быковa, И. В. Марчишинa, А. К. Бакаровa, Ж. К. Зангb, С. А. Виткаловb a Институт физики полупроводников Сибирского отд. РАН
b City College of the City University of New York, Physics Department
Аннотация:
Экспериментально исследовано влияние величины постоянного электрического тока $I_{dc}$ на электронный транспорт в GaAs квантовой яме с AlAs/GaAs сверхрешеточными барьерами при температуре $T=4.2$ К в магнитных полях $B$ до 2 Тл. Обнаружено резкое возрастание сопротивления $R_{xx}$ в магнитных полях выше некоторого критического значения $B_c$. Показано, что при прочих равных условиях величина $B_c$ тем меньше, чем больше ток $I_{dc}$. Обнаруженное явление качественно объясняется электрическим пробоем, возникающим в сверхрешеточных барьерах под действием холловского поля.
Поступила в редакцию: 07.11.2006 Исправленный вариант: 30.11.2006
Образец цитирования:
А. А. Быков, И. В. Марчишин, А. К. Бакаров, Ж. К. Занг, С. А. Виткалов, “Холловский пробой в GaAs/AlAs гетероструктуре с модулированным легированием”, Письма в ЖЭТФ, 85:1 (2007), 69–73; JETP Letters, 85:1 (2007), 63–66
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl949 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v85/i1/p69
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 299 | PDF полного текста: | 77 | Список литературы: | 46 |
|