Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2007, том 85, выпуск 1, страницы 69–73 (Mi jetpl949)  
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Холловский пробой в GaAs/AlAs гетероструктуре с модулированным легированием

А. А. Быковa, И. В. Марчишинa, А. К. Бакаровa, Ж. К. Зангb, С. А. Виткаловb

a Институт физики полупроводников Сибирского отд. РАН
b City College of the City University of New York, Physics Department
PDF полного текста (595 kB) Список цитирования (1)
Список литературы:
PDF
HTML
Аннотация: Экспериментально исследовано влияние величины постоянного электрического тока $I_{dc}$ на электронный транспорт в GaAs квантовой яме с AlAs/GaAs сверхрешеточными барьерами при температуре $T=4.2$ К в магнитных полях $B$ до 2 Тл. Обнаружено резкое возрастание сопротивления $R_{xx}$ в магнитных полях выше некоторого критического значения $B_c$. Показано, что при прочих равных условиях величина $B_c$ тем меньше, чем больше ток $I_{dc}$. Обнаруженное явление качественно объясняется электрическим пробоем, возникающим в сверхрешеточных барьерах под действием холловского поля.
Поступила в редакцию: 07.11.2006
Исправленный вариант: 30.11.2006
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2007, Volume 85, Issue 1, Pages 63–66
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364007010134
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 73.23.-b, 73.40.Gk
Образец цитирования: А. А. Быков, И. В. Марчишин, А. К. Бакаров, Ж. К. Занг, С. А. Виткалов, “Холловский пробой в GaAs/AlAs гетероструктуре с модулированным легированием”, Письма в ЖЭТФ, 85:1 (2007), 69–73; JETP Letters, 85:1 (2007), 63–66
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BykMarBak07}
\by А.~А.~Быков, И.~В.~Марчишин, А.~К.~Бакаров, Ж.~К.~Занг, С.~А.~Виткалов
\paper Холловский пробой в GaAs/AlAs гетероструктуре с модулированным легированием
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2007
\vol 85
\issue 1
\pages 69--73
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl949}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2007
\vol 85
\issue 1
\pages 63--66
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364007010134}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000245246700013}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-33947392591}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl949
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v85/i1/p69
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:299
    PDF полного текста:77
    Список литературы:46
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024