|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2008, том 87, выпуск 8, страницы 502–506
(Mi jetpl92)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 10 научных статьях (всего в 10 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ
Индуцирование энергетической щели волны зарядовой плотности в $\mathrm{NbSe}_3$ сильным магнитным полем выше температуры пайерлсовского перехода
А. П. Орловa, Ю. И. Латышевa, Д. Виньольb, П. Монсоc a Институт радиотехники и электроники РАН, 125009 Москва, Россия
b Laboratoire National des Champs Magnetiques Pulse, 31400 Toulouse, France
c Neel Institute, CNRS, 38042 Grenoble, France
Аннотация:
Методом межслоевой туннельной спектроскопии исследовано влияние магнитного поля на величину энергетической щели волны зарядовой плотности (ВЗП) в $\mathrm{NbSe}_3$ вблизи температуры нижнего пайерлсовского перехода $T_{p2}$. Показано, что магнитное поле увеличивает энергетическую щель и даже может ее индуцировать при температурах, на 15–20 К превышающих $T_{p2}$. При этом амплитуда пика щелевой особенности туннельного спектра сначала увеличивается с ростом поля, достигает максимума при 20–30 Тл, а затем уменьшается при дальнейшем росте поля. Эффект увеличения амплитуды щелевого пика связывается с улучшением условия нестинга ВЗП под действием поля, тогда как ее подавление в сильных полях – с разрушением основного состояния в результате его зеемановского расщепления.
Поступила в редакцию: 19.03.2008
Образец цитирования:
А. П. Орлов, Ю. И. Латышев, Д. Виньоль, П. Монсо, “Индуцирование энергетической щели волны зарядовой плотности в $\mathrm{NbSe}_3$ сильным магнитным полем выше температуры пайерлсовского перехода”, Письма в ЖЭТФ, 87:8 (2008), 502–506; JETP Letters, 87:8 (2008), 433–436
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl92 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v87/i8/p502
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 250 | PDF полного текста: | 87 | Список литературы: | 41 |
|