Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2007, том 86, выпуск 5, страницы 360–364 (Mi jetpl845)  

Эта публикация цитируется в 13 научных статьях (всего в 13 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Влияние диффузии на скорость распространения стационарных волн ударной ионизации в полупроводниках

А. С. Кюрегян

Всероссийский электротехнический институт им. В. И. Ленина
Список литературы:
Аннотация: Предложено обобщение известной теории стационарных плоских волн ударной ионизации в газах (U. Ebert et al., Phys. Rev. E 55, 1530 (1997)) на биполярный случай, характерный для полупроводников, где среду ионизуют горячие носители заряда обоих знаков. Вследствие этого скорость $u$ биполярных волн (в отличие от монополярных) определяется процессами в лидирующей области фронта при любых отличных от нуля скоростях ударной ионизации вне зависимости от направления распространения. Это свойство позволило получить аналитические формулы для $u$ как функции параметров материала, начального возмущения и напряженности внешнего поля путем анализа краевой задачи, линеаризованной вблизи неустойчивого состояния. В максимально достижимых полях (например, в стримерах) диффузия должна приводить к увеличению $u$ примерно в три раза по сравнению со средней скоростью дрейфа при типичных значениях параметров полупроводников.
Поступила в редакцию: 18.04.2007
Исправленный вариант: 20.06.2007
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2007, Volume 86, Issue 5, Pages 308–312
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364007170067
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 51.50.+v, 52.35.-g, 72.20.Ht, 85.30.Mn
Образец цитирования: А. С. Кюрегян, “Влияние диффузии на скорость распространения стационарных волн ударной ионизации в полупроводниках”, Письма в ЖЭТФ, 86:5 (2007), 360–364; JETP Letters, 86:5 (2007), 308–312
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Kyu07}
\by А.~С.~Кюрегян
\paper Влияние диффузии на скорость распространения стационарных волн ударной ионизации в полупроводниках
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2007
\vol 86
\issue 5
\pages 360--364
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl845}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2007
\vol 86
\issue 5
\pages 308--312
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364007170067}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000251019000006}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-36349010139}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl845
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v86/i5/p360
  • Эта публикация цитируется в следующих 13 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024