Тройные халькогениды полуметаллов на основе таллия (Tl-V-VI$_2$) – новый класс трехмерных топологических изоляторов

Представлены результаты теоретического исследования объемной и поверхностной электронной структуры соединений Tl-V-VI$_2$, где V – полуметаллы Bi и Sb, VI – халькогены Se и Te. Показано, что материалы рассмотренной серии соединений являются трехмерными топологическими изоляторами. На поверхности данных соединений присутствуют как топологически защищенное поверхностное состояние, формирующее в окрестности точки $\bar\Gamma$ дираковский конус, так и занятые состояния типа “оборванной связи”, локализованные в запрещенной щели.