Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2024, том 120, выпуск 5, страницы 367–373
DOI: https://doi.org/10.31857/S0370274X24090081 (Mi jetpl7316) 		 
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Локальная диагностика спиновых дефектов в облученных SiC-диодах Шоттки

К. В. Лихачевa, А. М. Скомороховa, М. В. Учаевa, Ю. А. Успенскаяa, В. В. Козловскийb, М. Е. Левинштейнa, И. А. Елисеевa, А. Н. Смирновa, Д. Д. Крамущенкоa, Р. А. Бабунцa, П. Г. Барановa

a Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, 194021 С.-Петербург, Россия
b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, 195251 С.-Петербург, Россия
PDF полного текста (620 kB) Первая страница
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.31857/S0370274X24090081
Аннотация: Впервые зарегистрированы спектры антипересечения спиновых подуровней и идентифицированы центры окраски со спином $S = 3/2$ в коммерчески доступных диодах Шоттки на основе 4H-SiC, подвергнутых облучению электронами с энергией $0.9$ МэВ или протонами с энергией $15$ МэВ. Показано влияние дозы облучения на процесс дефектообразования. Продемонстрировано, что повышение температуры, при которой проводилось облучение протонами, играет роль краткосрочного отжига, приводящего к уменьшению концентрации точечных дефектов.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации 075-15-2021-1349
Российский научный фонд 22-12-00003
Исследование Ю. А. Успенской, В. В. Козловского, М. Е. Левинштейна, И. А. Елисеева выполнено за счет гранта Российского научного фонда # 22-12-00003, https://rscf.ru/project/22-12-00003/, исследование Р. А. Бабунца выполнено при финансовой поддержке Министерства науки и высшего образования Российской Федерации (проект # 075-15-2021-1349).
Поступила в редакцию: 23.07.2024
Исправленный вариант: 31.07.2024
Принята в печать: 31.07.2024
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: К. В. Лихачев, А. М. Скоморохов, М. В. Учаев, Ю. А. Успенская, В. В. Козловский, М. Е. Левинштейн, И. А. Елисеев, А. Н. Смирнов, Д. Д. Крамущенко, Р. А. Бабунц, П. Г. Баранов, “Локальная диагностика спиновых дефектов в облученных SiC-диодах Шоттки”, Письма в ЖЭТФ, 120:5 (2024), 367–373
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LikSkoUch24}
\by К.~В.~Лихачев, А.~М.~Скоморохов, М.~В.~Учаев, Ю.~А.~Успенская, В.~В.~Козловский, М.~Е.~Левинштейн, И.~А.~Елисеев, А.~Н.~Смирнов, Д.~Д.~Крамущенко, Р.~А.~Бабунц, П.~Г.~Баранов
\paper Локальная диагностика спиновых дефектов в облученных SiC-диодах Шоттки
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2024
\vol 120
\issue 5
\pages 367--373
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl7316}
\crossref{https://doi.org/10.31857/S0370274X24090081}
\edn{https://elibrary.ru/DHDATJ}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl7316
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v120/i5/p367
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025