|
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Одноэлектронный спектр короткопериодной InAs/GaSb сверхрешетки с интерфейсной компенсацией напряжений
В. С. Кривобок, Г. Н. Ерошенко, А. В. Муратов, С. Н. Николаев, А. В. Клековкин, И. И. Минаев, К. А. Савин, Д. А. Пашкеев, А. Р. Дубовая, Ю. А. Алещенко, С. И. Ченцов Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, 119991 Москва, Россия
Аннотация:
Впервые для диапазона температур $77$–$300$ К экспериментально восстановлена частотная зависимость комплексного показателя преломления InAs/GaSb сверхрешетки, край фундаментального поглощения которой расположен в дальнем инфракрасном диапазоне, а пластическая релаксация подавлена интерфейсной компенсацией напряжений. Обсуждается энергетическая структура минизон сверхрешетки и ее перестройка с температурой.
Поступила в редакцию: 17.06.2024 Исправленный вариант: 22.07.2024 Принята в печать: 01.08.2024
Образец цитирования:
В. С. Кривобок, Г. Н. Ерошенко, А. В. Муратов, С. Н. Николаев, А. В. Клековкин, И. И. Минаев, К. А. Савин, Д. А. Пашкеев, А. Р. Дубовая, Ю. А. Алещенко, С. И. Ченцов, “Одноэлектронный спектр короткопериодной InAs/GaSb сверхрешетки с интерфейсной компенсацией напряжений”, Письма в ЖЭТФ, 120:5 (2024), 354–358
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl7314 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v120/i5/p354
|
|