Знакопеременная девиация одночастичной ВАХ грязного SIN-контакта

В области низких температур и напряжений: $0 \leqslant \vert eV \vert \ll T \ll \Delta_{0}^{}$ получена формула для одночастичной вольт-амперной характеристики $J(V,T,c,\beta)$ “грязного” (малые концентрации одинаковых немагнитных примесей в I-слое) SIN-контакта (S – сверхпроводник, I – неупорядоченный изолятор, N – нормальный металл), где: $e$ – модуль заряда электрона, $\Delta_{0}^{}$ – сверхпроводящая щель в $S$-береге контакта при температуре $T = 0$, $V$ – напряжение на контакте, $c \ll 1$ – безразмерная концентрация примесей в I-слое, $\beta = (\varepsilon_{0}^{} - \mu)/\Delta_{0}^{}$ – безразмерная девиация актуального для данной задачи однопримесного электронного энергетического уровня $\varepsilon_{0}^{}$ (на одинаковых примесях в I-слое) относительно уровня $\mu$ электронного химпотенциала контакта. Показано, что присутствие случайных узкозонных квантовых закороток в неупорядоченном I-слое приводит в некоторой ограниченной области $\Omega_{d}^{}(c, \beta)$ на плоскости параметров $(c, \beta)$ к аномально сильной знакопеременной девиации одночастичной вольт-амперной характеристики грязного SIN-контакта относительно одночастичной вольт-амперной характеристики этого же грязного контакта, вычисляемой по формуле существующей теории. На численном примере продемонстрировано, что относительная девиация одночастичной ВАХ для характерных значений параметров грязного SIN-контакта в области $\Omega_{d}^{}(c, \beta)$ может достигать нескольких порядков, что обеспечивает возможность экспериментального проявления этого эффекта. Обсуждены условия применимости рассмотренной модели грязного SIN-контакта, предложена принципиальная схема соответствующего эксперимента.