|
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Микроволновая фотопроводимость бесщелевых дираковских фермионов в HgTe квантовых ямах
Н. С. Кузьминab, А. С. Ярошевичa, Л. С. Брагинскийab, М. В. Энтинba, З. Д. Квонab, Н. Н. Михайловab a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия
b Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
Аннотация:
Проведено экспериментальное и теоретическое исследование микроволновой фотопроводимости системы бесщелевых дираковских фермионов в HgTe квантовых ямах критической толщины. Обнаружено, что фотопроводимость флуктуирует в зависимости от затворного напряжения в окрестности дираковской точки, а амплитуда флуктуаций растет с увеличением размера проводника и при уменьшении температуры. Предложено теоретическое объяснение микроволнового отклика. Оно базируется на предположении о существовании перколяционной двумерной фрактальной сетки геликоидальных краевых токовых состояний, возникающей в результате флуктуаций толщины ямы вблизи критического значения. Показано, что микрововолновая фотопроводимость такой сетки флуктуирует при изменении энергии Ферми, причем поведение амплитуды флуктуаций качественно согласуется с наблюдаемым в эксперименте.
Поступила в редакцию: 09.04.2024 Исправленный вариант: 21.05.2024 Принята в печать: 21.05.2024
Образец цитирования:
Н. С. Кузьмин, А. С. Ярошевич, Л. С. Брагинский, М. В. Энтин, З. Д. Квон, Н. Н. Михайлов, “Микроволновая фотопроводимость бесщелевых дираковских фермионов в HgTe квантовых ямах”, Письма в ЖЭТФ, 119:12 (2024), 925–931; JETP Letters, 119:12 (2024), 950–956
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl7257 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v119/i12/p925
|
|