|
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Новый политип вискеров NbS$_3$: от простого к сложному
А. Л. Васильевabc, А. Г. Ивановаa, И. Н. Трунькинb, Н. Б. Болотинаa, В. Я. Покровскийd, С. Г. Зыбцевd a Курчатовский комплекс кристаллографии и фотоники,
Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”, 119333 Москва, Россия
b Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”, 123182 Москва, Россия
c Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет), 141701 Долгопрудный, Россия
d Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, 125009 Москва, Россия
Аннотация:
Методами просвечивающей электронной микроскопии при комнатной температуре исследованы три образца квазиодномерного проводника NbS$_3$ из одной ростовой партии. Менее дефектный образец # 1 и более дефектный образец # 2 отнесены к известным ранее политипам. Образец # 3 представляет собой неизвестный ранее политип, с увеличенным по сравнению со всеми известными политипами параметром $c$ элементарной ячейки. На электронограммах нового политипа присутствуют четыре системы сателлитных рефлексов, что указывает на формирование в образце четырех волн зарядовой плотности. Обсуждается возможность формирования более сложных по структуре политипов.
Поступила в редакцию: 10.05.2024 Исправленный вариант: 10.05.2024 Принята в печать: 15.05.2024
Образец цитирования:
А. Л. Васильев, А. Г. Иванова, И. Н. Трунькин, Н. Б. Болотина, В. Я. Покровский, С. Г. Зыбцев, “Новый политип вискеров NbS$_3$: от простого к сложному”, Письма в ЖЭТФ, 119:12 (2024), 917–924; JETP Letters, 119:12 (2024), 942–949
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl7256 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v119/i12/p917
|
|