Электрические свойства двухслойных гетероструктур в сильном магнитном поле

Рассмотрены электрические свойства двухслойных гетероструктур в сильном магнитном поле при низких температурах. Показано, что при параллельных электрических полях в каждом слое и омическая, и холловская проводимости стремятся к нулю экспоненциально, что связано с образованием нейтральных пар. При антипараллельном включении холловская проводимость по-прежнему определяется энергией активации заряженных возбуждением электронов с экспоненциальным падением, однако омическая проводимость падает гораздо медленнее, пропорционально квадрату температуры.