Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2024, том 119, выпуск 9, страницы 692–696
DOI: https://doi.org/10.31857/S123456782409009X (Mi jetpl7220) 		 
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Рост силицена методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках CaF$_2$/Si(111), модифицированных электронным облучением

А. Ф. Зиновьеваab, В. А. Зиновьевa, А. В. Кацюбаa, В. А. Володинab, В. И. Муратовb, А. В. Двуреченскийab

a Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия
b Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
PDF полного текста (877 kB) Первая страница
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.31857/S123456782409009X
Аннотация: Впервые экспериментально продемонстрирована возможность получения силицена на модифицированных электронным облучением подложках CaF$_2$/Si(111). Показано, что формирующиеся под электронным пучком участки планарной поверхности CaSi$_2$ с гексагональной упаковкой могут быть использованы как естественная основа для последующего роста силицена. На таких поверхностях проведено осаждение кремния и методами атомно-силовой микроскопии и спектроскопии комбинационного рассеяния света получено подтверждение формирования островков силицена.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации FWGW-2022-0011
Работа выполнена в рамках государственного задания Министерства науки и высшего образования Российской Федерации (тема # FWGW-2022-0011 Физические явления в квантовых структурах для компонент наноэлектроники, нанофотоники и спинтроники).
Поступила в редакцию: 06.03.2024
Исправленный вариант: 30.03.2024
Принята в печать: 01.04.2024
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2024, Volume 119, Issue 9, Pages 703–707
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364024600599
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Ф. Зиновьева, В. А. Зиновьев, А. В. Кацюба, В. А. Володин, В. И. Муратов, А. В. Двуреченский, “Рост силицена методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках CaF$_2$/Si(111), модифицированных электронным облучением”, Письма в ЖЭТФ, 119:9 (2024), 692–696; JETP Letters, 119:9 (2024), 703–707
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZinZinKat24}
\by А.~Ф.~Зиновьева, В.~А.~Зиновьев, А.~В.~Кацюба, В.~А.~Володин, В.~И.~Муратов, А.~В.~Двуреченский
\paper Рост силицена методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках CaF$_2$/Si(111), модифицированных электронным облучением
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2024
\vol 119
\issue 9
\pages 692--696
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl7220}
\crossref{https://doi.org/10.31857/S123456782409009X}
\edn{https://elibrary.ru/DHFOUQ}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2024
\vol 119
\issue 9
\pages 703--707
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364024600599}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl7220
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v119/i9/p692
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:11
    Список литературы:5
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024