Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2024, том 119, выпуск 7, страницы 502–507
DOI: https://doi.org/10.31857/S123456782407005X (Mi jetpl7191) 		 
ПЛАЗМА, ГИДРО- И ГАЗОДИНАМИКА

О насыщении неустойчивости индуцированного рассеяния обыкновенной СВЧ волны в транспортном барьере токамака при электронном циклотронном нагреве плазмы

Е. З. Гусаков, А. Ю. Попов

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе, 194021 С.-Петербург, Россия
PDF полного текста (341 kB) Первая страница
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.31857/S123456782407005X
Аннотация: Рассмотрено насыщение низкопороговой параметрической распадной неустойчивости обыкновенной волны при электронном циклотронном резонансном нагреве в периферийном транспортном барьере токамака в результате стохастического затухания дочерней двумерно-локализованной косой ленгмюровской волны. Установлено, что в современных установках насыщение неустойчивости происходит на относительно низком уровне, не оказывая влияния на энергобаланс при нагреве плазмы. Показано, что для предполагаемых условий ввода сверхвысокочастотной мощности в токамаке-реакторе ITER эффективность нелинейной накачки будет превосходить максимальную эффективность стохастического затухания, что приведет к срыву амплитудно-зависимого насыщения и может вызвать значительную модификация профиля энерговыделения.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 22-12-00010
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации FFUG-2024-0028
0034-2021-0003
Аналитическое исследование финансировалось в рамках гранта Российского научного фонда # 22-12-00010, численное моделирование – при поддержке государственного контракта Физико-технического института им. А. Ф. Иоффе # FFUG-2024-0028, а код для моделирования параметрической распадной неустойчивости разработан при поддержке государственного контракта Физико-технического института им. А. Ф. Иоффе # 0034-2021-0003.
Поступила в редакцию: 19.02.2024
Исправленный вариант: 04.03.2024
Принята в печать: 07.03.2024
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2024, Volume 119, Issue 7, Pages 505–510
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364024600617
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. З. Гусаков, А. Ю. Попов, “О насыщении неустойчивости индуцированного рассеяния обыкновенной СВЧ волны в транспортном барьере токамака при электронном циклотронном нагреве плазмы”, Письма в ЖЭТФ, 119:7 (2024), 502–507; JETP Letters, 119:7 (2024), 505–510
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GusPop24}
\by Е.~З.~Гусаков, А.~Ю.~Попов
\paper О насыщении неустойчивости индуцированного рассеяния обыкновенной СВЧ волны в транспортном барьере токамака при электронном циклотронном нагреве плазмы
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2024
\vol 119
\issue 7
\pages 502--507
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl7191}
\crossref{https://doi.org/10.31857/S123456782407005X}
\edn{https://elibrary.ru/TSEHXK}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2024
\vol 119
\issue 7
\pages 505--510
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364024600617}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl7191
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v119/i7/p502
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:19
    Список литературы:9
    Первая страница:4
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024