Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2024, том 119, выпуск 2, страницы 82–88
DOI: https://doi.org/10.31857/S1234567824020022 (Mi jetpl7131) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

ОПТИКА, ЛАЗЕРНАЯ ФИЗИКА

Полностью оптическая сканирующая спектроскопия антипересечения электронных и ядерных спиновых уровней в кристалле 4H-SiC

К. В. Лихачевa, И. П. Вейштортa, М. В. Учаевab, А. В. Батуеваa, В. В. Яковлеваa, А. С. Гуринa, Р. А. Бабунцa, П. Г. Барановa

a Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, 194021 С.-Петербург, Россия
b Физико-технический мегафакультет, Университет ИТМО, 197101 С.-Петербург, Россия
PDF полного текста (658 kB) Первая страница Список цитирования (2)
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.31857/S1234567824020022
Аннотация: Полностью оптическими методами зарегистрированы при комнатной температуре переходы в системе взаимодействующих электронных и ядерных спинов в центрах окраски c $S=3/2$ в кристалле 4H-SiC с природным изотопным составом. Гигантские изменения фотолюминесценции в объеме $\sim$ 1 мкм$^3$, при непрерывном и импульсном лазерном возбуждении, происходят в области антипересечения электронных и ядерных спиновых уровней. Обнаружено оптическое проявление переворота ядерного спина изотопа $^{29}$Si при сохранении проекции спина электрона. Все точки антипересечения спиновых подуровней, связанных сверхтонкими взаимодействиями, идентифицированы, что открывает возможности для наблюдения подобных эффектов в семействе квартетных спиновых центров в других политипах SiC.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 23-12-00152
Работа выполнена при поддержке гранта Российского научного фонда (грант # 23-12-00152), https://rscf.ru/project/23-12-00152/.
Поступила в редакцию: 20.11.2023
Исправленный вариант: 27.11.2023
Принята в печать: 28.11.2023
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2024, Volume 119, Issue 2, Pages 78–83
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364023603834
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: К. В. Лихачев, И. П. Вейшторт, М. В. Учаев, А. В. Батуева, В. В. Яковлева, А. С. Гурин, Р. А. Бабунц, П. Г. Баранов, “Полностью оптическая сканирующая спектроскопия антипересечения электронных и ядерных спиновых уровней в кристалле 4H-SiC”, Письма в ЖЭТФ, 119:2 (2024), 82–88; JETP Letters, 119:2 (2024), 78–83
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LikVeiUch24}
\by К.~В.~Лихачев, И.~П.~Вейшторт, М.~В.~Учаев, А.~В.~Батуева, В.~В.~Яковлева, А.~С.~Гурин, Р.~А.~Бабунц, П.~Г.~Баранов
\paper Полностью оптическая сканирующая спектроскопия антипересечения электронных и ядерных спиновых уровней в кристалле 4H-SiC
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2024
\vol 119
\issue 2
\pages 82--88
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl7131}
\crossref{https://doi.org/10.31857/S1234567824020022}
\edn{https://elibrary.ru/rtvzky}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2024
\vol 119
\issue 2
\pages 78--83
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364023603834}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl7131
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v119/i2/p82
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025