Аннотация:
Полностью оптическими методами зарегистрированы при комнатной температуре переходы в системе взаимодействующих электронных и ядерных спинов в центрах окраски c S=3/2 в кристалле 4H-SiC с природным изотопным составом. Гигантские изменения фотолюминесценции в объеме ∼ 1 мкм3, при непрерывном и импульсном лазерном возбуждении, происходят в области антипересечения электронных и ядерных спиновых уровней. Обнаружено оптическое проявление переворота ядерного спина изотопа 29Si при сохранении проекции спина электрона. Все точки антипересечения спиновых подуровней, связанных сверхтонкими взаимодействиями, идентифицированы, что открывает возможности для наблюдения подобных эффектов в семействе квартетных спиновых центров в других политипах SiC.
Образец цитирования:
К. В. Лихачев, И. П. Вейшторт, М. В. Учаев, А. В. Батуева, В. В. Яковлева, А. С. Гурин, Р. А. Бабунц, П. Г. Баранов, “Полностью оптическая сканирующая спектроскопия антипересечения электронных и ядерных спиновых уровней в кристалле 4H-SiC”, Письма в ЖЭТФ, 119:2 (2024), 82–88; JETP Letters, 119:2 (2024), 78–83
Kirill V. Likhachev, Maxim V. Uchaev, Igor P. Veyshtort, Anastasia V. Batueva, Aleksandr S. Gurin, Roman A. Babunts, Pavel G. Baranov, Journal of Applied Physics, 137:1 (2025)
К. В. Лихачев, А. М. Скоморохов, М. В. Учаев, Ю. А. Успенская, В. В. Козловский, М. Е. Левинштейн, И. А. Елисеев, А. Н. Смирнов, Д. Д. Крамущенко, Р. А. Бабунц, П. Г. Баранов, Письма в ЖЭТФ, 120:5 (2024), 367–373
K. V. Likhachev, A. M. Skoromokhov, M. V. Uchaev, Yu. A. Uspenskaya, V. V. Kozlovski, M. E. Levinshtein, I. A. Eliseev, A. N. Smirnov, D. D. Kramushchenko, R. A. Babunts, P. G. Baranov, Jetp Lett., 120:5 (2024), 354