Индуцированный высоким давлением метамагнитный переход в ферромагнитном полупроводнике Cd$_{0.7}$Mn$_{0.3}$GeAs$_2$

Измерены зависимости магнитной восприимчивости $\chi/\chi_o$, продольного $(\Delta\rho_{zz}/\rho_o)$ и поперечного $(\Delta\rho_{xx}/\rho_o)$ магнетосопротивления от гидростатического давления $P\leq7\,$ГПа при комнатной температуре в высокотемпературном ферромагнитном полупроводнике $\rm Cd_{0.7}Mn_{0.3}GeAs_2$ со структурой халькопирита и температурой Кюри $T_c=355\,$K. Обнаружено, что в $\rm Cd_{0.7}Mn_{0.3}GeAs_2$ вблизи температуры магнитного упорядочения индуцируется давлением метамагнитный переход из состояния с низкой намагниченностью в состояние с высокой намагниченностью, сопровождающийся гистерезисом магнитной восприимчивости и магнетосопротивления.