|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2010, том 91, выпуск 9, страницы 524–526
(Mi jetpl713)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ
Индуцированный высоким давлением метамагнитный переход в ферромагнитном полупроводнике Cd$_{0.7}$Mn$_{0.3}$GeAs$_2$
А. Ю. Моллаевa, И. К. Камиловa, Р. К. Арслановa, Т. Р. Арслановa, У. З. Залибековa, В. М. Новоторцевb, С. Ф. Маренкинb a Учреждение РАН Институт физики Дагестанского научного
центра РАН
b Учреждение РАН Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова РАН
Аннотация:
Измерены зависимости магнитной восприимчивости $\chi/\chi_o$, продольного $(\Delta\rho_{zz}/\rho_o)$ и поперечного $(\Delta\rho_{xx}/\rho_o)$ магнетосопротивления от гидростатического давления $P\leq7\,$ГПа при комнатной температуре в высокотемпературном ферромагнитном полупроводнике $\rm Cd_{0.7}Mn_{0.3}GeAs_2$ со структурой халькопирита и температурой Кюри $T_c=355\,$K. Обнаружено, что в $\rm Cd_{0.7}Mn_{0.3}GeAs_2$ вблизи температуры магнитного упорядочения индуцируется давлением метамагнитный переход из состояния с низкой намагниченностью в состояние с высокой намагниченностью, сопровождающийся гистерезисом магнитной восприимчивости и магнетосопротивления.
Поступила в редакцию: 31.03.2010
Образец цитирования:
А. Ю. Моллаев, И. К. Камилов, Р. К. Арсланов, Т. Р. Арсланов, У. З. Залибеков, В. М. Новоторцев, С. Ф. Маренкин, “Индуцированный высоким давлением метамагнитный переход в ферромагнитном полупроводнике Cd$_{0.7}$Mn$_{0.3}$GeAs$_2$”, Письма в ЖЭТФ, 91:9 (2010), 524–526; JETP Letters, 91:9 (2010), 478–480
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl713 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v91/i9/p524
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 320 | PDF полного текста: | 86 | Список литературы: | 34 |
|