|
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Влияние концентрации Gd на сверхпроводящие свойства в ВТСП лентах $2$-го поколения
П. Н. Дегтяренкоa, А. В. Садаковb, А. В. Овчаровc, А. Ю. Дегтяренкоb, С. Ю. Гаврилкинb, О. А. Соболевскийb, А. Ю. Цветковb, Б. И. Массалимовb a Объединенный институт высоких температур РАН, 125412 Москва, Россия
b Центр высокотемпературной сверхпроводимости и квантовых материалов им. В. Л. Гинзбурга ФИАН, 119991 Москва, Россия
c Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”, 123182 Москва, Россия
Аннотация:
В данной работе представлены систематические исследования высокотемпературных сверхпроводящих лент $2$-го поколения с избытком по Gd относительно стехиометрического состава пленок GdBa$_2$Cu$_3$O$_7$. Выявлено, что при росте пленки образуются нитевидные дефекты в виде несверхпроводящей фазы Gd$_2$CuO$_4$, расположенные вдоль плоскости $ab$. Эти включения приводят к изменению механизма пиннинга вихревой структуры, благодаря чему отчетливо наблюдается пик критического тока при $+15\,\%$ Gd.
Поступила в редакцию: 24.08.2023 Исправленный вариант: 13.09.2023 Принята в печать: 13.09.2023
Образец цитирования:
П. Н. Дегтяренко, А. В. Садаков, А. В. Овчаров, А. Ю. Дегтяренко, С. Ю. Гаврилкин, О. А. Соболевский, А. Ю. Цветков, Б. И. Массалимов, “Влияние концентрации Gd на сверхпроводящие свойства в ВТСП лентах $2$-го поколения”, Письма в ЖЭТФ, 118:8 (2023), 590–595; JETP Letters, 118:8 (2023), 579–584
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl7065 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v118/i8/p590
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 57 | Список литературы: | 22 | Первая страница: | 10 |
|