Корреляционная кулоновская щель при магнитотуннелировании между слоями графена

Обнаружено сильное подавление равновесного магнитотуннелирования в гетероструктуре графен/$hBN$/графен, обусловленное корреляционной кулоновской щелью в туннельной плотности состояний. Сравнение подавления равновесной туннельной проводимости $G_0$ в сильном магнитном поле при понижении температуры и зависимости ширины наблюдаемой щели $\Delta$ от величины фактора заполнения уровней Ландау $\nu$ с результатами аналогичных экспериментов в GaAs гетероструктурах показало их качественное подобие и подтвердило нашу гипотезу о природе эффекта. При этом, однако, полученная нами величина $\Delta$ значительно превосходит измеренные во всех предыдущих работах в полупроводниковых гетероструктурах, что связано, вероятно, с большим масштабом циклотронных энергий в графене по сравнению с GaAs в интервале нижних уровней Ландау.