|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Топологическая память на многосвязных планарных магнитных наноэлементах
К. Л. Метловab a Донецкий физико-технический институт им. А. А. Галкина, 283048 Донецк, Россия
b Институт вычислительной математики РАН им. Г. И. Марчука, 119333 Москва, Россия
Аннотация:
Предложена схема кодирования набора битовых строк в планарных магнитных наноэлементах с отверстиями. Получены аналитические выражения для соответствующих распределений намагниченности с точностью до гомотопии, даны конкретные примеры для двусвязного и трехсвязного случаев. Обсуждаются энергетические барьеры, защищающие эти состояния. По сравнению с набором односвязных наноэлементов такой же общей связности, наноэлементы с отверстиями могут хранить больше информации благодаря возможности задания ссылок между отдельными битами.
Поступила в редакцию: 11.04.2023 Исправленный вариант: 06.06.2023 Принята в печать: 08.06.2023
Образец цитирования:
К. Л. Метлов, “Топологическая память на многосвязных планарных магнитных наноэлементах”, Письма в ЖЭТФ, 118:2 (2023), 95–101; JETP Letters, 118:2 (2023), 105–111
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl6991 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v118/i2/p95
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 57 | Список литературы: | 26 | Первая страница: | 13 |
|