|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2010, том 91, выпуск 8, страницы 442–445
(Mi jetpl699)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ
Эффект спиновой фильтрации в двойных туннельных переходах: двухзонная модель электронной структуры магнитных диэлектриков
Т. А. Хачатурова, М. А. Белоголовский, А. И. Хачатуров Донецкий физико-технический институт им. А. А. Галкина
Национальной АН Украины
Аннотация:
Обсуждается влияние верхнего края валентной зоны изолятора на эффект спиновой фильтрации в туннельных структурах с наноразмерными слоями магнитного диэлектрика. Показано, что в том случае, когда уровень Ферми находится посередине запрещенной зоны диэлектрика, данный эффект полностью исчезает при нулевом напряжении смещения и существенно подавляется при конечных напряжениях. Указанное обстоятельство и является основной причиной наблюдавшегося недавно гигантского расхождения между теоретическими значениями магнетосопротивления двойных туннельных спиновых фильтров и соответствующими экспериментальными данными.
Поступила в редакцию: 27.01.2010 Исправленный вариант: 11.03.2010
Образец цитирования:
Т. А. Хачатурова, М. А. Белоголовский, А. И. Хачатуров, “Эффект спиновой фильтрации в двойных туннельных переходах: двухзонная модель электронной структуры магнитных диэлектриков”, Письма в ЖЭТФ, 91:8 (2010), 442–445; JETP Letters, 91:8 (2010), 407–409
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl699 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v91/i8/p442
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 210 | PDF полного текста: | 78 | Список литературы: | 29 |
|