Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2023, том 118, выпуск 1, страницы 55–61
DOI: https://doi.org/10.31857/S1234567823130116 (Mi jetpl6985) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Плазменные возбуждения в SiGe/Si квантовых ямах

А. Р. Хисамееваa, А. В. Щепетильниковab, Г. А. Николаевa, С. А. Лопатинаab, Я. В. Федотоваa, И. В. Кукушкинa

a Институт физики твердого тела РАН, 142432 Черноголовка, Россия
b Национальный исследовательский университет “Высшая школа экономики”, 101000 Москва, Россия
PDF полного текста (422 kB) Первая страница Список цитирования (2)
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.31857/S1234567823130116
Аннотация: Было проведено подробное исследование плазменных и магнитоплазменных возбуждений в высококачественных нелегированных двумерных системах на основе SiGe/Si квантовых ям. Двумерная электронная система формировалась при приложении напряжения к верхнему затвору, частично прозрачного для субтерагерцового излучения в частотном диапазоне $20{-}160$ ГГц. Для сравнения также приведены результаты для SiGe/Si квантовых ям с $\delta$-слоем легирования Sb. Были непосредственно определены транспортные и квантовые времена рассеяния для обеих структур. Было установлено, что величина эффективной массы электронов практически не зависит от плотности двумерных электронов в широком диапазоне значений.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 22-72-00135
Работа была выполнена при поддержке Российского Научного Фонда (грант # 22-72-00135).
Поступила в редакцию: 28.04.2023
Исправленный вариант: 01.06.2023
Принята в печать: 01.06.2023
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2023, Volume 118, Issue 1, Pages 67–73
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364023601793
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Р. Хисамеева, А. В. Щепетильников, Г. А. Николаев, С. А. Лопатина, Я. В. Федотова, И. В. Кукушкин, “Плазменные возбуждения в SiGe/Si квантовых ямах”, Письма в ЖЭТФ, 118:1 (2023), 55–61; JETP Letters, 118:1 (2023), 67–73
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KhiShcNik23}
\by А.~Р.~Хисамеева, А.~В.~Щепетильников, Г.~А.~Николаев, С.~А.~Лопатина, Я.~В.~Федотова, И.~В.~Кукушкин
\paper Плазменные возбуждения в SiGe/Si квантовых ямах
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2023
\vol 118
\issue 1
\pages 55--61
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl6985}
\crossref{https://doi.org/10.31857/S1234567823130116}
\edn{https://elibrary.ru/gcfgpo}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2023
\vol 118
\issue 1
\pages 67--73
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364023601793}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl6985
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v118/i1/p55
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:66
    Список литературы:18
    Первая страница:6
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024