Эффект резистивного переключения в мемристорах TaN/HfO$_x$/Ni с филаментом, сформированным под действием локальной электронно-лучевой кристаллизации

Изучено влияние интенсивного воздействия электронного луча на слой нестехиометрического оксида HfO$_x$ ($x\approx1.8$) в составе мемристора со структурой TaN/HfO$_{{x}}$/Ni на его электрофизические свойства. Обнаружено, что в результате воздействия в пленке HfO$_{{x}}$ образуются кристаллические фазы $h-$Hf, $m-$HfO$_2$, $o-$HfO$_2$ и $t-$HfO$_2$. Установлено, что при определенных значениях флюенса электронов мемристоры демонстрируют резистивное переключение. При этом, по сравнению с необлученными мемристорами, у таких мемристоров в несколько раз меньше величины напряжений резистивного переключения. Кроме того, у них наблюдается кратное снижение разброса напряжений резистивного переключения, а также сопротивлений в низко- и высокоомном состояниях. Вольт-амперные характеристики полученных мемристоров указывают на то, что транспорт заряда в них описывается механизмом тока, ограниченным пространственным зарядом.