Спиновая релаксация двумерных электронов в холловском ферромагнетике

В системе двумерных электронов с высокой электронной подвижностью исследован электронный парамагнитный резонанс (ЭПР) и изучены зависимости положения, ширины, интенсивности и формы линии резонансного микроволнового поглощения от фактора заполнения и температуры. Показано, что ширина линии ЭПР в квантовых ямах GaAs/AlGaAs с большой электронной подвижностью может составлять 30 МГц, что соответствует времени спиновой релаксации двумерных электронов 10 нс. Экспериментальные данные по температурной зависимости ширины линии спинового резонанса при факторе заполнения 1 сравниваются с теоретическими результатами, полученными для различных механизмов спиновой релаксации. Показано, что доминирующим механизмом спиновой релаксации при факторе заполнения 1 и температурах 1.5–4 К является взаимное рассеяние спиновых экситонов.