|
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Ванадий-содержащие планарные гетероструктуры на основе топологических изоляторов
Е. К. Петровab, И. В. Силкинb, В. М. Кузнецовb, Т. В. Меньщиковаb, Е. В. Чулковacb a Санкт-Петербургский государственный университет, 198504 С.-Петербург, Россия
b Томский государственный университет, 634050 Томск, Россия
c Departamento de Polímeros y Materiales Avanzados: Física, Química y Tecnología, Facultad de Ciencias Químicas,
Universidad del País Vasco UPV/EHU, 20080 San Sebastían/Donostia, Basque Country, Spain
Аннотация:
Представлены результаты теоретического исследования V-содержащих гетероструктур, представляющих собой ультратонкую магнитную пленку на поверхности немагнитного топологического изолятора. Показана возможность управления смещением точки Дирака в $k$-пространстве, являющегося мерой протяженности особой плоской зоны, возникающей при формировании доменных стенок на поверхности антиферромагнитных топологических изоляторов. Смещение точки Дирака обратно пропорционально значению групповой скорости электронов в точке Дирака и пропорционально степени локализации топологического состояния в магнитной пленке. Управление смещением осуществляется путем подбора подложки с определенным значением работы выхода. Предложены конкретные системы для экспериментального исследования особенностей плоских зон в антиферромагнитных топологических изоляторах.
Поступила в редакцию: 07.12.2022 Исправленный вариант: 22.12.2022 Принята в печать: 23.12.2022
Образец цитирования:
Е. К. Петров, И. В. Силкин, В. М. Кузнецов, Т. В. Меньщикова, Е. В. Чулков, “Ванадий-содержащие планарные гетероструктуры на основе топологических изоляторов”, Письма в ЖЭТФ, 117:3 (2023), 235–241; JETP Letters, 117:3 (2023), 228–233
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl6864 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v117/i3/p235
|
|