|
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Влияние беспорядка на магнитотранспорт в полупроводниковом искусственном графене
О. А. Ткаченкоa, В. А. Ткаченкоab, Д. Г. Бакшеевb, О. П. Сушковc a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия
b Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
c School of Physics, University of New South Wales, 2052 Sydney, Australia
Аннотация:
В рамках формализма Ландауэра–Бьюттикера промоделирован магнитотранспорт в мезоскопических образцах с полупроводниковым искусственным графеном. Модельные четырехтерминальные системы в высокоподвижном двумерном электронном газе имеют форму квадрата размером $3\div 5$ мкм, который заполнен короткопериодной ($120$ нм) слабо разупорядоченной треугольной решеткой антиточек при амплитуде модуляции электростатического потенциала, сравнимой с энергией Ферми. Обнаружено, что при концентрациях носителей в решетке ниже точки Дирака $n<n_{1D}$ в холловском сопротивлении $R_{xy}(B)$ в диапазоне магнитных полей $B=10\div50$ мТл возникает плато дырочного типа $R_{xy}=-R_0$, а при $n>n_{1D}$ плато электронного типа $R_{xy}=R_0$, где $R_0=h/2e^2=12.9$ кОм. С усилением беспорядка плато разрушаются, но тип носителей (электроны или дырки) сохраняется. При низких магнитных полях длинноволновой беспорядок подавляет плато квантованных сопротивлений гораздо эффективнее, чем коротковолновый.
Поступила в редакцию: 15.11.2022 Исправленный вариант: 01.12.2022 Принята в печать: 08.12.2022
Образец цитирования:
О. А. Ткаченко, В. А. Ткаченко, Д. Г. Бакшеев, О. П. Сушков, “Влияние беспорядка на магнитотранспорт в полупроводниковом искусственном графене”, Письма в ЖЭТФ, 117:3 (2023), 228–234; JETP Letters, 117:3 (2023), 222–227
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl6863 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v117/i3/p228
|
|