|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Логарифмическая релаксация неравновесного состояния волны зарядовой плотности в соединениях TbTe$_3$ и HoTe$_3$
А. В. Фроловa, А. П. Орловab, Д. М. Воропаевac, А. Хадж-Азземd, А. А. Синченкоa, П. Монсоa a Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, 125009 Москва, Россия
b Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН, 115487 Москва, Россия
c Московский физико-технический институт (Национальный исследовательский институт), 141701 Долгопрудный, Россия
d Universté Grenoble Alpes, CNRS, Grenoble INP, Institut Néel, 38042 Grenoble, France
Аннотация:
Выполнены измерения электронного транспорта, в том числе динамических свойств волны зарядовой плотности в квазидвумерном соединении HoTe$_3$. Обнаружены и изучены эффекты медленной релаксации неравновесного состояния волны зарядовой плотности при изотермической выдержке в режиме нулевого тока, наблюдаемые ранее в TbTe$_3$. Значительное увеличение времени выдержки позволило наглядно продемонстрировать, что релаксационные зависимости имеют логарифмический вид; изучены особенности релаксации в разных температурных и временных диапазонах. Полученные данные указывают на стекольное поведение системы центров пиннинга волны зарядовой плотности в трителлуридах редкоземельных атомов.
Поступила в редакцию: 24.11.2022 Исправленный вариант: 06.12.2022 Принята в печать: 08.12.2022
Образец цитирования:
А. В. Фролов, А. П. Орлов, Д. М. Воропаев, А. Хадж-Аззем, А. А. Синченко, П. Монсо, “Логарифмическая релаксация неравновесного состояния волны зарядовой плотности в соединениях TbTe$_3$ и HoTe$_3$”, Письма в ЖЭТФ, 117:2 (2023), 171–176; JETP Letters, 117:2 (2023), 170–175
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl6855 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v117/i2/p171
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 43 | Список литературы: | 16 | Первая страница: | 7 |
|