Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2023, том 117, выпуск 2, страницы 171–176
DOI: https://doi.org/10.31857/S1234567823020131 (Mi jetpl6855) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Логарифмическая релаксация неравновесного состояния волны зарядовой плотности в соединениях TbTe3 и HoTe3

А. В. Фроловa, А. П. Орловab, Д. М. Воропаевac, А. Хадж-Азземd, А. А. Синченкоa, П. Монсоa

a Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, 125009 Москва, Россия
b Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН, 115487 Москва, Россия
c Московский физико-технический институт (Национальный исследовательский институт), 141701 Долгопрудный, Россия
d Universté Grenoble Alpes, CNRS, Grenoble INP, Institut Néel, 38042 Grenoble, France
PDF полного текста (492 kB) Первая страница Список цитирования (1)
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.31857/S1234567823020131
Аннотация: Выполнены измерения электронного транспорта, в том числе динамических свойств волны зарядовой плотности в квазидвумерном соединении HoTe3. Обнаружены и изучены эффекты медленной релаксации неравновесного состояния волны зарядовой плотности при изотермической выдержке в режиме нулевого тока, наблюдаемые ранее в TbTe3. Значительное увеличение времени выдержки позволило наглядно продемонстрировать, что релаксационные зависимости имеют логарифмический вид; изучены особенности релаксации в разных температурных и временных диапазонах. Полученные данные указывают на стекольное поведение системы центров пиннинга волны зарядовой плотности в трителлуридах редкоземельных атомов.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 22-22-00331
Работа выполнена при поддержке Российского научного фонда, проект # 22-22-00331.
Поступила в редакцию: 24.11.2022
Исправленный вариант: 06.12.2022
Принята в печать: 08.12.2022
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2023, Volume 117, Issue 2, Pages 170–175
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364022602998
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Фролов, А. П. Орлов, Д. М. Воропаев, А. Хадж-Аззем, А. А. Синченко, П. Монсо, “Логарифмическая релаксация неравновесного состояния волны зарядовой плотности в соединениях TbTe3 и HoTe3”, Письма в ЖЭТФ, 117:2 (2023), 171–176; JETP Letters, 117:2 (2023), 170–175
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{FroOrlVor23}
\by А.~В.~Фролов, А.~П.~Орлов, Д.~М.~Воропаев, А.~Хадж-Аззем, А.~А.~Синченко, П.~Монсо
\paper Логарифмическая релаксация неравновесного состояния волны зарядовой плотности в соединениях TbTe$_3$ и HoTe$_3$
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2023
\vol 117
\issue 2
\pages 171--176
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl6855}
\crossref{https://doi.org/10.31857/S1234567823020131}
\edn{https://elibrary.ru/ofsutk}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2023
\vol 117
\issue 2
\pages 170--175
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364022602998}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl6855
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v117/i2/p171
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:81
    Список литературы:24
    Первая страница:10
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025