|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
КВАНТОВАЯ ИНФОРМАТИКА
Numerical simulation of the performance of single qubit gates for trapped ions
L. A. Akopyana, O. Lakhmanskayaa, S. Yu. Zarutskiya, N. D. Koroleva, O. Gusevaa, K. Lakhmanskiyab a Russian Quantum Center, Skolkovo, 143025 Moscow, Russia
b Higher School of Systems Engineering MIPT, 141701 Dolgoprudny, Russia
Поступила в редакцию: 02.09.2022 Исправленный вариант: 02.09.2022 Принята в печать: 15.09.2022
Образец цитирования:
L. A. Akopyan, O. Lakhmanskaya, S. Yu. Zarutskiy, N. D. Korolev, O. Guseva, K. Lakhmanskiy, “Numerical simulation of the performance of single qubit gates for trapped ions”, Письма в ЖЭТФ, 116:8 (2022), 570–571; JETP Letters, 116:8 (2022), 580–585
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl6785 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v116/i8/p570
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 58 | Список литературы: | 19 | Первая страница: | 12 |
|