|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Расчет дискретных и резонансных уровней акцепторов в узкозонных твердых растворах CdHgTe
М. С. Жолудевab, В. В. Румянцевba, С. В. Морозовab a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603950 Н. Новгород, Россия
b Институт физики микроструктур РАН, 603950 Н. Новгород, Россия
Аннотация:
Проведены расчеты волновых функций электрона в поле однозарядного акцептора в узкозонных твердых растворах CdHgTe с учетом потенциала центральной ячейки. Путем аппроксимации результатов расчетов получено аналитическое выражение для значений энергии наиболее глубоких локализованных и резонансных состояний при различных значениях параметров потенциала центральной ячейки и доли кадмия в твердом растворе. Полученные зависимости могут быть использованы при идентификации акцепторных примесей в CdHgTe, в частности, мышьяка, как наиболее перспективного допанта для структур $p$-типа.
Поступила в редакцию: 12.07.2022 Исправленный вариант: 12.07.2022 Принята в печать: 24.07.2022
Образец цитирования:
М. С. Жолудев, В. В. Румянцев, С. В. Морозов, “Расчет дискретных и резонансных уровней акцепторов в узкозонных твердых растворах CdHgTe”, Письма в ЖЭТФ, 116:5 (2022), 307–312; JETP Letters, 116:5 (2022), 313–318
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl6748 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v116/i5/p307
|
|