Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2010, том 91, выпуск 5, страницы 263–268 (Mi jetpl667)  

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Неоднородное состояние электронной системы в сверхпроводящих перовскитах BаРb$_{1-x}$Sb$_x$O$_3$: $^{207}$Pb ЯМР исследование

А. Ф. Садыковab, Ю. В. Пискуновab, В. В. Оглобличевab, И. Ю. Араповаab, А. П. Геращенкоab, А. Л. Бузлуковab, С. В. Верховскийab, И. А. Леонидовab

a Институт физики металлов Уральского отд. РАН
b Институт химии твердого тела Уральского отд. РАН
Список литературы:
Аннотация: Выполнены комплексные измерения спектров ЯМР $^{207}$Pb, сдвигов Найта $^{207}$K$_s$, скорости спин-решеточной релаксации $^{207}T_1^{-1}$ и затухания амплитуды спинового эха ядер свинца $^{207}E(2t)$ в сверхпроводящих оксидах BаРb$_{1-x}$Sb$_x$O$_3$ ($x\leq0.33$). Существенный рост ширины распределения сдвига при замещении свинца сурьмой указывает на формирование неоднородного состояния электронной системы в зоне проводимости оксидов. Величина сдвига, пропорциональная плотности состояний вблизи энергии Ферми, $^{207}K_s\propto N(E_F)$, достигает максимума в составах $x=(0.18\text{--}0.25)$ с максимальными значениями температуры сверхпроводящего перехода, $T_c$. В исследованных составах BаРb$_{1-x}$Sb$_x$O$_3$ выполняется соотношение Корринги, свидетельствуя о том, что все образцы находятся в металлической фазе. Данные о затухании амплитуды спинового эха ядер свинца и соответствующие оценки констант косвенного взаимодействия ядер ближайших соседей, атомов Pb, дают убедительные свидетельства в пользу развития микроскопически неоднородного по кристаллу состояния электронной системы в металлической фазе оксидов.
Поступила в редакцию: 27.01.2010
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2010, Volume 91, Issue 5, Pages 245–250
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364010050097
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Ф. Садыков, Ю. В. Пискунов, В. В. Оглобличев, И. Ю. Арапова, А. П. Геращенко, А. Л. Бузлуков, С. В. Верховский, И. А. Леонидов, “Неоднородное состояние электронной системы в сверхпроводящих перовскитах BаРb$_{1-x}$Sb$_x$O$_3$: $^{207}$Pb ЯМР исследование”, Письма в ЖЭТФ, 91:5 (2010), 263–268; JETP Letters, 91:5 (2010), 245–250
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SadPisOgl10}
\by А.~Ф.~Садыков, Ю.~В.~Пискунов, В.~В.~Оглобличев, И.~Ю.~Арапова, А.~П.~Геращенко, А.~Л.~Бузлуков, С.~В.~Верховский, И.~А.~Леонидов
\paper Неоднородное состояние электронной системы в сверхпроводящих перовскитах BаРb$_{1-x}$Sb$_x$O$_3$: $^{207}$Pb ЯМР исследование
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2010
\vol 91
\issue 5
\pages 263--268
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl667}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2010
\vol 91
\issue 5
\pages 245--250
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364010050097}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000277428900009}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-77952478498}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl667
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v91/i5/p263
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024