Режим сильной связи и осцилляции Раби в GaAs/AlGaAs гетероструктурах как следствие конденсации электронно-дырочных пар при комнатной температуре

Приведены результаты экспериментов по исследованию когерентных осцилляций оптического поля в диапазоне ТГц, наблюдавшихся в GaAs/AlGaAs объемных гетероструктурах при генерации импульсов сверхизлучения. Обнаружены оптические спектры в виде дублетов, характерных для осцилляций Раби с расщеплением в диапазоне 1.3–4.4 мэВ на длине волны 860–890 нм и соответствующие когерентные колебания поля во временной области. Эффект возникал только в режиме сильной связи оптического поля с электронно-дырочной системой. Продемонстрировано, что режим сильной связи в условиях эксперимента возможен только при условии конденсации электронно-дырочных пар в фазовом пространстве. Результаты экспериментов являются еще одним убедительным доказательством конденсации электронов и дырок в объемном GaAs при комнатной температуре, обсуждавшейся в наших работах ранее.