Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2022, том 115, выпуск 1, страницы 47–50
DOI: https://doi.org/10.31857/S1234567822010086 (Mi jetpl6584) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Электронная структура и свойства двумерного диоксида кремния

Т. А. Хачатурова, В. Г. Бутько, А. А. Гусев

Донецкий физико-техничеcкий институт им. А. А. Галкина, 283114 Донецк, Украина
PDF полного текста (342 kB) Первая страница Список цитирования (1)
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.31857/S1234567822010086
Аннотация: В рамках теории функционала плотности методом проекционных присоединенных волн проведены исследования электронной структуры двумерного диоксида кремния. Результаты неэмпирических расчетов существенно уточняются в $GW$-приближении. Рассмотрены нанопленки толщиной от 0.35 до 1.76 нм с максимальным числом атомарных слоев, равным 30. Показано, что запрещенная зона существенно зависит от толщины двумерного нанокристалла и имеет три различных типа поведения. Данное явление обусловлено сдвигом уровня Ферми, определяемым соотношением атомов Si и O в элементарной ячейке.
Поступила в редакцию: 24.09.2021
Исправленный вариант: 18.11.2021
Принята в печать: 19.11.2021
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2022, Volume 115, Issue 1, Pages 41–44
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364022010106
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Т. А. Хачатурова, В. Г. Бутько, А. А. Гусев, “Электронная структура и свойства двумерного диоксида кремния”, Письма в ЖЭТФ, 115:1 (2022), 47–50; JETP Letters, 115:1 (2022), 41–44
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KhaButGus22}
\by Т.~А.~Хачатурова, В.~Г.~Бутько, А.~А.~Гусев
\paper Электронная структура и свойства двумерного диоксида кремния
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2022
\vol 115
\issue 1
\pages 47--50
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl6584}
\crossref{https://doi.org/10.31857/S1234567822010086}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2022
\vol 115
\issue 1
\pages 41--44
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364022010106}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000773937900008}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-85127328374}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl6584
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v115/i1/p47
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:96
    Список литературы:19
    Первая страница:15
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024