Стимулированная Бозе конденсация электронно-дырочных пар в сильно вырожденном полупроводнике при комнатной температуре

Описан механизм и построена упрощенная модель конденсации электронно-дырочных пар в фазовом пространстве в сильно вырожденном полупроводнике при участии резонансных фотонов электромагнитного поля. Продемонстрировано, что в таком полупроводнике при наличии фотонов в экситонной части спектра возможно формирование квазистационарного Бозе состояния коллективно спаренных электронов и дырок. При этом необходимая плотность носителей в несколько раз должна превосходить пороговую плотность возникновения лазерного излучения. Описанный эффект позволяет объяснить механизм появления сверзхизлучающего квантового перехода и неравновесного БКШ-подобного электронно-дырочного состояния в полупроводниковых гетероструктурах при комнатной температуре, экспериментально наблюдавшихся ранее.