Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2021, том 114, выпуск 11, страницы 749–755
DOI: https://doi.org/10.31857/S1234567821230051 (Mi jetpl6563) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

ОПТИКА, ЛАЗЕРНАЯ ФИЗИКА

Формирование люминесцентных структур при облучении тонких пленок a-Si:H-Er лазерными импульсами фемтосекундной длительности

А. О. Ларинa, Э. И. Агеевa, Л. Н. Дворецкаяb, А. М. Можаровb, И. С. Мухинba, Д. А. Зуевa

a Университет ИТМО, 197101 С.-Петербург, Россия
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет им. Ж. И. Алферова РАН, 194021 С.-Петербург, Россия
PDF полного текста (673 kB) Первая страница Список цитирования (2)
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.31857/S1234567821230051
Аннотация: Исследован процесс внедрения эрбия в кремний при облучении лазерными импульсами фемтосекундной длительности многослойной пленки, состоящей из слоев Er и a-Si:H. Рассмотрено влияние плотности энергии лазерного излучения на фазовый состав и интенсивность сигнала фотолюминесценции экспонированных областей, а также проведено сравнение методов термического и фемтосекундного лазерного легирования пленок. Полученные результаты могут быть полезны для разработки перспективных оптоэлектронных устройств на основе структур Si:Er.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 18-29-20107_мк
Работа поддержана грантом Российского фонда фундаментальных исследований (# 18-29-20107 мк).
Поступила в редакцию: 23.09.2021
Исправленный вариант: 02.11.2021
Принята в печать: 03.11.2021
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2021, Volume 114, Issue 11, Pages 681–686
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364021230090
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. О. Ларин, Э. И. Агеев, Л. Н. Дворецкая, А. М. Можаров, И. С. Мухин, Д. А. Зуев, “Формирование люминесцентных структур при облучении тонких пленок a-Si:H-Er лазерными импульсами фемтосекундной длительности”, Письма в ЖЭТФ, 114:11 (2021), 749–755; JETP Letters, 114:11 (2021), 681–686
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LarAgeDvo21}
\by А.~О.~Ларин, Э.~И.~Агеев, Л.~Н.~Дворецкая, А.~М.~Можаров, И.~С.~Мухин, Д.~А.~Зуев
\paper Формирование люминесцентных структур при облучении тонких пленок a-Si:H-Er лазерными импульсами фемтосекундной длительности
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2021
\vol 114
\issue 11
\pages 749--755
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl6563}
\crossref{https://doi.org/10.31857/S1234567821230051}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2021
\vol 114
\issue 11
\pages 681--686
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364021230090}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000754673100005}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-85124996723}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl6563
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v114/i11/p749
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:65
    Список литературы:15
    Первая страница:8
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024