Подавление магнето-межподзонных осцилляций сопротивления крупномасштабными флуктуациями межподзонного энергетического расщепления

В одиночных квантовых ямах GaAs толщиной ($d_{\text{SQW}}$) от $22$ до $46$ нм с двумя заполненными подзонами размерного квантования $E_1$ и $E_2$ изучены низкотемпературные зависимости амплитуды магнето-межподзонных (ММП) осцилляций сопротивления ($\Delta R_{\text{MISO}}$) от магнитного поля $B< 2\,$Тл. Установлено, что в исследуемых квантовых ямах в зависимостях $\Delta R_{\text{MISO}}$ от 1/$B$ появляется дополнительное затухание, что объясняется влиянием крупномасштабных флуктуаций межподзонного расщепления $\Delta_{12} = E_2 - E_1$ на амплитуду осцилляций $\Delta R_{\text{MISO}}$. Обнаружено, что подавление осцилляций $\Delta R_{\text{MISO}}$ с ростом $1/B$ более эффективно в “узких” квантовых ямах. Этот экспериментальный факт позволяет предположить, что основной причиной флуктуаций $\Delta_{12}$ в изучаемых “узких” квантовых ямах являются крупномасштабные флуктуации толщины ям $d_{\text{SQW}}$. Получено выражение, учитывающее роль крупномасштабных флуктуаций $\Delta_{12}$ в затухании $\Delta R_{\text{MISO}}$. Сопоставление теории и эксперимента позволило определить среднюю величину флуктуаций межподзонного расщепления в исследуемых квантовых ямах GaAs.