Плазменные возбуждения в частично экранированных двумерных электронных системах (Миниобзор)

Дан обзор последних достижений в исследовании физических свойств плазменных возбуждений в частично экранированных металлическими электродами двумерных электронных системах на базе гетероструктур AlGaAs/GaAs. Установлено, что в таких системах возбуждается особый тип двумерных плазменных волн – проксимити плазмон (proximity plasmon). Экспериментально установлено, что плазменные волны данного семейства обладают целым рядом новых физических свойств. Во-первых, оказалось, что дисперсия частично экранированных плазмонов сочетает характерные черты как экранированного, так и неэкранированного двумерных плазмонов. Во-вторых, у обнаруженной проксимити моды отсутствует краевая ветвь в магнитодисперсии. Наконец, оказалось, что в случае если затвор соединен с двумерной системой внешней цепью, то в системе возбуждается “заряженная” релятивистская плазменная мода с целым рядом уникальных свойств. Полученные новые результаты расширяют горизонт возможных приложений плазмоники в области СВЧ и терагерцовой электроники.