Поглощение микроволнового излучения двумерными электронными системами, связанное с возбуждением размерных резонансов бернштейновских мод

На образцах гетероструктур GaAs/AlGaAs с двумерной электронной системой под микроволновым излучением частоты 130–170 ГГц выполнены исследования зависимости амплитуд осцилляций Шубникова–де Гааза от магнитного поля. Обнаружены две особенности подавления амплитуд осцилляций излучением, имеющие резонансный характер по полю. Один из резонансов возникает в магнитном поле, соответствующем второй гармонике циклотронного резонанса, в то время как существование, положение и амплитуда второго резонанса более сложным образом зависят от частоты излучения. Обнаруженное резонансное поглощение излучения на второй гармонике, по-видимому, является причиной аномального пика магнетосопротивления, недавно наблюдавшегося около этой гармоники. Указанные резонансы могут быть объяснены возбуждением в ограниченном образце стоячих магнитоплазменных волн с одинаковым волновым вектором, но соответствующих двум различным областям их закона дисперсии: почти бездисперсионному участку бернштейновской моды и циклотронной магнитоплазменной моде.