|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Роли элементов гетероструктуры на основе топологической фазы Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te в эффекте $PT$-симметричной терагерцовой фотопроводимости
А. С. Казаковa, А. В. Галееваa, А. В. Иконниковa, Д. Е. Долженкоa, Л. И. Рябоваb, Н. Н. Михайловc, С. А. Дворецкийc, М. И. Банниковd, С. Н. Даниловe, Д. Р. Хохловad a Физический факультет МГУ им. М. В. Ломоносова, 119991 Москва, Россия
b Химический факультет МГУ им. М. В. Ломоносова, 119991 Москва, Россия
c Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия
d Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, 119991 Москва, Россия
e Университет Регенсбурга, D-95053 Регенсбург, Германия
Аннотация:
В работе продемонстрировано, что $PT$-симметричная терагерцовая фотопроводимость, наблюдаемая в гетероструктурах на основе толстых пленок Hg$_{1-x}$Cd$_x$Te, находящихся в топологической фазе, связана с фотовозбуждением носителей заряда в объеме пленки. В то же время местом локализации эффекта является гетероинтерфейс топологическая пленка – тривиальный буферный слой. Обсуждается модель, описывающая такое пространственное разделение источника неравновесных носителей заряда и места проявления эффекта.
Поступила в редакцию: 12.03.2021 Исправленный вариант: 23.03.2021 Принята в печать: 23.03.2021
Образец цитирования:
А. С. Казаков, А. В. Галеева, А. В. Иконников, Д. Е. Долженко, Л. И. Рябова, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, М. И. Банников, С. Н. Данилов, Д. Р. Хохлов, “Роли элементов гетероструктуры на основе топологической фазы Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te в эффекте $PT$-симметричной терагерцовой фотопроводимости”, Письма в ЖЭТФ, 113:8 (2021), 548–552; JETP Letters, 113:8 (2021), 542–546
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl6412 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v113/i8/p548
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 108 | PDF полного текста: | 16 | Список литературы: | 36 | Первая страница: | 6 |
|