2D экситоны в множественных одномонослойных квантовых ямах GaN/AlN

Исследована кинетика затухания низкотемпературной экситонной фотолюминесценции в гетероструктуре с множественными квантовыми ямами GaN/AlN монослойной толщины, изготовленной методом молекулярно-пучковой эпитаксии. В рамках трехуровневой модели выполнено теоретическое моделирование измеренных кривых затухания излучения. Процесс релаксации дипольно-разрешенных “светлых” экситонов, пространственно ограниченных в монослоях GaN, определен как экситонная релаксация с характерным временем $\sim$ 3 пс, сопровождающаяся переворотом спина и превращением в дипольно-запрещенные “темные” экситоны, уровни которых расположены на $\sim$ 60 мэВ ниже по энергии. Показан двумерный характер экситонных состояний при температурах выше 50 К.