|
Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях)
РАЗНОЕ
О механизме генерации убегающих электронов после пробоя промежутка
Д. В. Белоплотовa, В. Ф. Тарасенкоab, В. А. Шкляевa, Д. А. Сорокинa a Институт сильноточной электроники Сибирского отделения РАН, 634055 Томск, Россия
b Национальный исследовательский Томский государственный университет, 634050 Томск, Россия
Аннотация:
Представлены данные, объясняющие генерацию убегающих электронов после пробоя промежутка с резко неоднородным распределением напряженности электрического поля. Используя специальную методику измерения тока смещения, вызванного появлением и движением стримера, осуществлена привязка осциллограмм напряжения и тока убегающих электронов друг к другу, а также к динамике формирования стримера, которая регистрировалась с помощью четырехканальной ICCD камеры. Показано, что первый пучок убегающих электронов генерируется в окрестности острийного катода в момент появления стримера. Второй пучок убегающих электронов генерируется в момент прихода на острийный катод обратной волны ионизации. Предполагается, что генерация второго пучка убегающих электронов происходит в катодном слое. Это подтверждается тем, что второй пучок убегающих электронов отсутствует в тех реализациях разряда, при которых наблюдается свечение катодного пятна до замыкания промежутка плазмой.
Поступила в редакцию: 30.11.2020 Исправленный вариант: 30.11.2020 Принята в печать: 03.12.2020
Образец цитирования:
Д. В. Белоплотов, В. Ф. Тарасенко, В. А. Шкляев, Д. А. Сорокин, “О механизме генерации убегающих электронов после пробоя промежутка”, Письма в ЖЭТФ, 113:2 (2021), 133–139; JETP Letters, 113:2 (2021), 129–134
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl6349 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v113/i2/p133
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 88 | PDF полного текста: | 5 | Список литературы: | 15 | Первая страница: | 10 |
|