Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2010, том 91, выпуск 2, страницы 89–96 (Mi jetpl634)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Dynamics and distribution of doped holes in the CuO$_2$ plane of slightly doped antiferromagnetic YBa$_2$(Cu$_{1-z}$Li$_z)_3$O$_{6+x}$ $(x<0.1)$ studied by Cu(1) NQR

A. V. Savinkova, A. V. Dooglava, H. Alloulb, P. Mendelsb, J. Bobroffb, G. Collinb, N. Blanchardb

a Laboratory of Magnetic Resonance, Kazan State University
b Laboratoire de Physique des Solides, Université Paris-Sud, UMR 8502, F-91405 Orsay, France
Список литературы:
Аннотация: Incidence of doped holes in the CuO$_2$ plane on the AF state was studied by Cu(1) nuclear quadrupole resonance (NQR) in slightly doped YBa$_2$(Cu$_{1-z}$Li$_z$)$_3$O$_{6+x}$ compounds. Inhomogeneous distribution of doped holes in the plane was detected in the low temperature measurements of transverse ($1/T_2$) and longitudinal ($1/T_1$) relaxation rates. We establish that at lower $T$ the holes motion slows down and we estimate that the holes localize finally in restricted regions ($\sim3$ lattice constants) in the Coulomb potential of the Li$^+$ ions. Also we compared the hole behavior in slightly doped YBa$_2$(Cu$_{1-z}$Li$_z$)$_3$O$_{6+x}$ samples with that in slightly doped Y$_{1-y}$Ca$_y$Ba$_2$Cu$_3$O$_6$. A stronger trapping potential of the in-plane Li$^+$ impurities was concluded as compared to slightly doped Y$_{1-y}$Ca$_y$Ba$_2$Cu$_3$O$_6$ compound with out-of-plane Ca$^{2+}$ impurities.
Поступила в редакцию: 11.12.2009
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2010, Volume 91, Issue 2, Pages 83–90
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364010020074
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: A. V. Savinkov, A. V. Dooglav, H. Alloul, P. Mendels, J. Bobroff, G. Collin, N. Blanchard, “Dynamics and distribution of doped holes in the CuO$_2$ plane of slightly doped antiferromagnetic YBa$_2$(Cu$_{1-z}$Li$_z)_3$O$_{6+x}$ $(x<0.1)$ studied by Cu(1) NQR”, Письма в ЖЭТФ, 91:2 (2010), 89–96; JETP Letters, 91:2 (2010), 83–90
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SavDooAll10}
\by A.~V.~Savinkov, A.~V.~Dooglav, H.~Alloul, P.~Mendels, J.~Bobroff, G.~Collin, N.~Blanchard
\paper Dynamics and distribution of doped holes in the CuO$_2$ plane of slightly doped antiferromagnetic YBa$_2$(Cu$_{1-z}$Li$_z)_3$O$_{6+x}$ $(x<0.1)$ studied by Cu(1) NQR
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2010
\vol 91
\issue 2
\pages 89--96
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl634}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2010
\vol 91
\issue 2
\pages 83--90
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364010020074}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000275955800007}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-77952043054}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl634
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v91/i2/p89
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:170
    PDF полного текста:59
    Список литературы:44
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024