Атомно-подобные незанятые состояния GaAs

Методом характеристических потерь энергии электронов на отражение исследован спектр возбуждений GaAs. Помимо доминирующих коллективных возбуждений, в спектре обнаружена серия одноэлектронных переходов остовного Ga3d электрона в неизвестные ранее незанятые состояния, расположенные выше уровня Ферми, соответственно, на 1.25, 3.7 и 6.8 эВ. Показано, что обнаруженные состояния возникают вблизи ионного остова Ga вследствие увеличения его эффективного заряда при возбуждении. Эквидистантность обнаруженных электронных уровней позволяет описать их моделью субнанометровой шаровой квантовой точки. Показано, что один из каналов распада обнаруженных состояний сопровождается испусканием ультрафиолетового излучения.